Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Реферативна база даних (17) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Конорева О$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 13 Представлено документи з 1 до 13 |
|||
| 1. | 
Вишневський І. М. Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію [Електронний ресурс] / І. М. Вишневський, О. М. Гонтарук, О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, В. С. Манжара, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 3. - С. 92-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_3_17 Зазначено, що сучасні методи комп'ютерного моделювання надають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки та досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту <$E E sub d>, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно з експериментальних даних, одержаних на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв <$E (dn "/" d PHI ) sub {PHI symbol О 0}> і падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення <$E E sub d> корелюють із даними комп'ютерного моделювання. | ||
| 2. |
Вишневський І. М. Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / І. М. Вишневський, О. В. Конорева, В. І. Кочкін, В. Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 6. - С. 69-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_6_14 Досліджено вплив опромінення швидкими нейтронами реактора (<$E E Bar> = 1 МеВ) на вольтамперні характеристики (ВАХ) фосфідо-галієвих світлодіодів. Виявлено зсув додатних гілок ВАХ в область менших напруг за малих доз опромінення та невеликих робочих струмів. Установлено, що зростання диференційного опору за великих доз зумовлено збільшенням опору бази. В основі механізму, який спричиняє спостережувані зміни, є падіння часу життя неосновних носіїв струму та захват основних носіїв глибокими рівнями введених радіацією дефектів. | ||
| 3. |
Конорева О. В. Особливості струмових нестабільностей фосфідо-галієвих світлодіодів, опромінених нейтронами [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, В. Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2008. - № 3. - С. 71-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2008_3_16 GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100 - 77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels. | ||
| 4. | 
Воробйов В. Г. Неруйнівний контроль поверхні фосфіду галію [Електронний ресурс] / В. Г. Воробйов, О. В. Конорева, О. С. Литвин, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П.. Тартачник // Методи та прилади контролю якості. - 2011. - Вип. 27. - С. 3-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2011_27_3 | ||
| 5. | 
Конорева О. В. Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, Є. В. Малий, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2013. - Т. 14, № 2. - С. 158-162. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2013_14_2_10 Досліджено мікроплазмові пробої червоних і зелених діодів GaP. Виявлено, що на початку пробою основний внесок у зворотний струм створює тунельна компонента; лавинна складова відіграє основну роль за великих пробійних струмів. Спектр мікроплазми розглянуто як результат накладання випромінювання гарячих носіїв і рекомбінаційного випромінювання домішковий рівень - валентна зона. Введення радіаційних дефектів електронами з E | ||
| 6. |
Конорева О. В. Електрофізичні та оптичні характеристики фосфідо-галієвих діодів, опромінених електронами з Е = 2 МеВ [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, Є. В. Малий, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 349-352. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2014_15_4_6 Досліджено серійні червоні та зелені фосфід-галієві світлодіоди, опромінені електронами з E = 2 МеВ. Виміряно вольтамперні характеристики в інтервалі температур 77 - 300 K. Опромінення проведено за кімнатної температури в імпульсному режимі. За низьких температур (T << 90 K) і малих струмів (I << 10 мА) окрім описаної в літературі S-подібної нестабільності виявлено додаткову ділянку від'ємного диференційного опору. Наведено спектральні характеристики обох видів діодів, одержані для різних температур і рівнів інжекції, а також залежності інтенсивності свічення від дози опромінення. Надано результати відновлення інтенсивності електролюмінесценції опромінених зразків у результаті ізохронного відпалу. | ||
| 7. |
Гонтарук О. М. Особливості електрооптичних характеристик світлодіодів фосфіду галію в умовах високих рівнів інжекції [Електронний ресурс] / О. М. Гонтарук, О. В. Конорева, М. В. Литовченко, Є. В. Малий, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник // Ядерна фізика та енергетика. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 56-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2015_16_1_10 Досліджено електролюмінесценцію зелених діодів фосфіду галію, легованих азотом. За низьких температур (T <= 90 K), на вольтамперних характеристиках, виявлено область від'ємного диференційного опору, причиною виникнення якого може бути перерозподіл рекомбінаційного струму між каналами анігіляції на ізольованих атомах азоту та на парах NN1. | ||
| 8. |
Воробйов В. Г. Вплив опромінення електронами з енергією 2 МеВ на зворотні струми фосфід-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / В. Г. Воробйов, О. В. Конорева, Є. В. Малий, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 238-241. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2015_16_3_5 Наведено результати досліджень зворотних електрофізичних характеристик вихідних та опромінених електронами з E = 2 МеВ червоних і зелених фосфід-галієвих світлодіодів. Виявлено, що зворотний струм зумовлений переважно тунелюванням носіїв. За ≤ Uзв ≤ 9 В та лавинним множенням за Uзв ≥ 13 В; у межах U = 9 : 13 В беруть участь обидва механізми. Зростання струму в області високих напруг обмежується опором базової частини діода. За значних зворотних струмів опромінення діодів призводить до зсуву зворотних вольтамперних характеристик у бік більших напруг. | ||
| 9. | 
Конорева О. В. Особливості екситонного випромінювання червоних фосфід-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, Є. В. Малий, Я. М. Оліх, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, О. І. Радкевич, В. П. Тартачник // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 1. - С. 41-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_1_6 Досліджено спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hv = 1,845 еВ, виявлено додаткову короткохвильову компоненту hv = 2,206 еВ, існування якої пов'язується з донорно-акцепторними переходами між парами Zn - Sn. Головна особливість цієї лінії - зростання інтенсивності за малих струмів (до ~ 50 мА) та зумовлене тепловим ефектом падіння - за великих (понад 90 мА). Обговорено природу аномального розширення спектральних ліній. | ||
| 10. |
Конорева О. В. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, О. І. Радкевич, В. М. Попов, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2019. - Т. 20, № 2. - С. 164-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2019_20_2_9 Досліджено світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів GaAsP. За низьких температур T <<= 130 K виявлено ділянки від'ємного диференційного опору. Опромінення електронами (E = 2 МеВ) призводить до зростання диференційного опору діодів, зміни контактної різниці потенціалів та падіння інтенсивності випромінювання. Виявлені ефекти зумовлені впливом глибоких рівнів радіаційних дефектів і поверхневих станів, активізованих високими рівнями іонізаційного збудження, властивого електронному опроміненню. | ||
| 11. |
Вернидуб Р. М. Вплив опромінення на електрофізичні параметри світлодіодів GaAsP [Електронний ресурс] / Р. М. Вернидуб, О. І. Кириленко, О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, Д. П. Стратілат, В. П. Тартачник, М. М. Філоненко // Ядерна фізика та енергетика. - 2021. - Т. 22, № 1. - С. 56-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2021_22_1_9 Розглянуто особливості вольтамперних характеристик світлодіодів, одержаних на основі твердих розчинів GaP - GaAsP. Наведено результати досліджень впливу електронного опромінення (E = 2 МеВ, <$E PHI~=~3~cdot~10 sup 14~symbol Ш~2,6~cdot~10 sup 16> см<^>-2 | ||
| 12. |
Вернидуб Р. М. Спектральні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GaAsP [Електронний ресурс] / Р. М. Вернидуб, О. І. Кириленко, О. В. Конорева, Д. П. Стратілат, В. П. Тартачник, М. М. Філоненко, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 143-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2021_22_2_5 Досліджено оптичні характеристики вихідних світлодіодів GaAs | ||
| 13. | 
Коржик В. М. Отримання нероз'ємних з'єднань титанових сплавів зі сталями (Огляд) [Електронний ресурс] / В. М. Коржик, В. Ю. Хаскін, В. В. Квасницький, О. В. Ганущак, І. Д. Гос, С. І. Пелешенко, О. І. Дем'янов, О. В. Конорева, Н. М. Фіалко // Фізико-хімічна механіка матеріалів. - 2023. - Т. 59, № 2. - С. 5-16. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |